一、側(cè)蝕率定義與影響?

計算公式?：側(cè)蝕率 F=A/HF=A/H（A為側(cè)蝕量，H為蝕刻深度），直接影響碼道寬度精度。

典型值?：精密碼盤要求側(cè)蝕率<10%，高精度應(yīng)用需<5%。

二、控制側(cè)蝕率的核心措施?

1、蝕刻液優(yōu)化?

成分選擇?：采用氯化銅-氨水-過氧化氫體系（PH 8.2±0.1），相比FeCl?可降低側(cè)蝕率30%。

溫度控制?：保持40~50℃（銅材）或20~30℃（不銹鋼），溫度每升高10℃，側(cè)蝕率增加15%。

2、工藝參數(shù)調(diào)整?

噴淋方式?：下噴式優(yōu)于上噴，溶液交換速率快，側(cè)蝕量減少20%~40%。

時間控制?：動態(tài)監(jiān)測蝕刻深度，達到目標后立即終止（如銅箔1μm/30秒）。

3、掩膜技術(shù)?

抗蝕膜升級?：使用APR-7300干膜（厚度12μm），抗化學滲透性提升40%，減少側(cè)蝕擴散。

硬烘工藝?：120℃后烘增強掩膜附著力，降低邊緣剝離風險。

三、設(shè)備與監(jiān)控改進?

噴淋均勻性?：噴嘴擺動+壓力分區(qū)調(diào)節(jié)（板邊緣壓力降低10%~15%），改善蝕刻均勻性。

實時反饋系統(tǒng)?：氧化還原電位（ORP）監(jiān)測蝕刻液活性，自動補充有效成分。

四、特殊材料處理?

薄銅箔（≤1/2盎司）?：降低噴淋壓力至0.8~1.2MPa，避免機械損傷加劇側(cè)蝕。

不銹鋼碼盤?：添加緩蝕劑（如苯并三氮唑），抑制橫向腐蝕。

五、效果驗證?

通過上述措施，某案例顯示：

側(cè)蝕率從12%降至4.5%，碼道寬度誤差從±0.015mm縮小至±0.006mm